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如何利用X射線能譜進(jìn)行微區(qū)元素分析?應(yīng)用案例分享

點(diǎn)擊次數(shù):491 更新時(shí)間:2026-03-25

   廣電計(jì)量提供覆蓋Si、SiN、LiNbO?等材料體系的硅光芯片全流程測試服務(wù),功能單元包含硅光芯片、MPD、Heater、MZI、光波導(dǎo)及激光器等。測試項(xiàng)目涵蓋耦合損耗、調(diào)制效率、傳輸損耗、帶寬、電阻、暗電流、響應(yīng)度、眼圖、模斑等參數(shù)測試,支持批量篩選與定制化方案;同時(shí)具備HTOL、HTRB、THB等老煉及可靠性驗(yàn)證能力。作為工信部“面向集成電路、芯片產(chǎn)業(yè)的公共服務(wù)平臺",廣電計(jì)量是國內(nèi)完成激光發(fā)射器、探測器全套AEC-Q102車規(guī)認(rèn)證的前沿第三方檢測機(jī)構(gòu),可依據(jù)GR-468及客戶委托標(biāo)準(zhǔn),提供從研發(fā)驗(yàn)證到量產(chǎn)篩選的一站式技術(shù)支撐。

服務(wù)背景

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,材料表面納米級的化學(xué)污染、氧化及元素偏析問題,已成為影響器件電性能、可靠性和工藝穩(wěn)定性的關(guān)鍵瓶頸。

主要應(yīng)用包括:

·通過元素含量/價(jià)態(tài)對比封裝基板表面工藝處理效果

·通過元素含量/價(jià)態(tài)對比器件是否受到污染

材料成分分析的利器:X射線能譜(EDS)技術(shù)原理解析

測試案例

封裝基板通過不同plasma處理方式后表面元素對比

材料成分分析的利器:X射線能譜(EDS)技術(shù)原理解析

正常線纜與失效線纜元素對比

材料成分分析的利器:X射線能譜(EDS)技術(shù)原理解析